InAs(001)吸附表面的不可逆重构相变研究

作者：郭祥; 周勋; 罗子江; 王继红; 周清; 刘珂; 丁召

来源：真空科学与技术学报, 2013, (12): 1266-1269.

• 扫描隧道是微镜
• InAs(001)
• 重构
• 不可逆相变 STM
• InAs(001)
• Reconstruction
• Irreversible phase transition

对吸附了大量As的InAs(001)样品进行升降温热处理,发现在485℃时表面有从(3×1)重构到(2×4)重构的不可逆转变现象。利用扫描隧道显微镜对(3×1)重构表面分析,结果表明大量常温吸附的As从表面脱附使InAs(001)(2×4)重构表面最顶层的As dimer也一起脱离表面,(3×1)重构表面实际上是由20%的富As(2×4)重构区域与80%的富In(4×2)重构区域组成。不可逆相变是由于As束流提供的As4原子团吸附到富In区域,使样品表面恢复到(2×4)重构相,而(2×4)重构相能在390~490℃温度范围内稳定存在。

• 单位
  贵州大学; 贵州财经学院; 贵州师范大学