InAs(001)吸附表面的不可逆重构相变研究

摘要

对吸附了大量As的InAs(001)样品进行升降温热处理,发现在485℃时表面有从(3×1)重构到(2×4)重构的不可逆转变现象。利用扫描隧道显微镜对(3×1)重构表面分析,结果表明大量常温吸附的As从表面脱附使InAs(001)(2×4)重构表面最顶层的As dimer也一起脱离表面,(3×1)重构表面实际上是由20%的富As(2×4)重构区域与80%的富In(4×2)重构区域组成。不可逆相变是由于As束流提供的As4原子团吸附到富In区域,使样品表面恢复到(2×4)重构相,而(2×4)重构相能在390~490℃温度范围内稳定存在。

关键词