纳米WS_2和MoS_2在西安脉冲堆中辐照损伤的计算机模拟

作者：王立鹏; 潘孝兵; 朱养妮; 朱广宁; 江新标; 凤仪; 张学斌; 张忠兵

来源：核技术, 2013, (11): 20-24.

• 西安脉冲堆
• 中子辐照损伤
• 原子离位率 Xi'an pulsed reactor
• Irradiation damage
• Displacement-per-atom(DPA) rate

采用蒙特卡罗程序(MCNP)对纳米材料WS2和MoS2在西安脉冲堆辐照实验下的位移损伤—原子离位数率进行了模拟计算与分析,确定了堆芯辐照样品内的中子注量率分布;对各样品的中子剂量率、γ剂量率进行了计算,采用典型的热中子反应堆的能谱加权,基于平均位移Kerma因子的方法,利用NJOY程序从最新的ENDF/B VII.1评价库中获取各元素的69群损伤截面,对各元素原子离位截面进行了计算,最终得到了各样品的原子离位数率。计算结果显示,纳米材料WS2和MoS2最大原子离位数率可达1.51?10-8DPA·s?1,且快中子对原子离位数率贡献要大于热中子。

• 单位
  HeFei University of Technology; Northwest Institute of Nuclear Technology