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摘要
为了满足不同应用和市场对物联网芯片精度和可靠性的要求，提出了一款宽温度范围的低温度系数带隙基准源。在传统的Banba型带隙基准源结构上，电路采用高阶温度补偿技术和分段温度补偿技术改善输出基准电压的曲率，降低了电路的温度系数，同时扩展了电路的工作温度范围。基于TSMC 180 nm CMOS工艺，完成了电路性能验证。测试结果表明，电路在-40 C至160 C温度范围内的温度系数低至7.2×10-6/C，低频时电源抑制比为-48.52 dB，1.8 V电源电压下电路的静态电流为68.38 μA，芯片核心面积为0.025 mm2。
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单位苏州大学
