Tc掺杂含氧空位的SnO2电子结构的第一性原理研究

作者：毛著鹏; 赵旭才; 王少霞; 刘桂安; 雷博程; 张丽丽

来源：伊犁师范学院学报(自然科学版), 2019, (03): 32-37.

• SnO_2
• 氧空位
• 电子结构
• 磁学性质 SnO_2
• Oxygen vacancy
• band structures
• magnetic properties

利用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势法计算了金红石结构的SnO_2,Tc掺杂、含氧空位掺杂和共掺SnO_2晶体的电子结构和磁学性质.结果表明:在电子结构方面,Tc与含氧空位共掺体系的自旋向上/向下的能级带隙值都有很大程度的减小,说明电子从价带激发到导带所需的能量减小,电子更容易跃迁;在磁学性质方面,纯SnO_2及含氧空位单掺SnO_2体系导带与价带均由Sn-5p态与O-2p态杂化构成,且无磁性;Tc单掺SnO_2及Tc与含氧空位共掺SnO_2体系自旋向上/向下的态密度分布不对称,且体系磁性主要来源于Tc-4d态.

• 单位
  南京大学物理学院; 新疆