溅射功率对AlN/ZnO薄膜结构形貌的影响

作者：付伍君; 孟祥钦; 朱博; 张遥; 刘浩瀚; 杨成韬

来源：压电与声光, 2013, (03): 416.

• AlN/ZnO薄膜
• 溅射功率
• 择优生长
• 结构
• 表面形貌 AlN/ZnO film
• sputtering power
• preferred growth
• structure
• surface morphology

采用直流反应磁控溅射法以ZnO为缓冲层在Si衬底上制备了AlN/ZnO薄膜。利用台阶仪、X线衍射(XRD)仪和原子力显微镜(AFM)对不同溅射功率下制备的AlN/ZnO薄膜的厚度、结构及表面形貌进行测试表征。结果表明,不同溅射功率下生长的AlN薄膜都沿(002)择优生长,且随着功率的增大,薄膜的沉积速率增加,晶粒长大,AlN薄膜的(002)取向性变好。同时还利用扫描电子显微镜(SEM)对在优化工艺下制得AlN/ZnO薄膜断面的形貌进行表征,结果显示AlN薄膜呈柱状生长。

• 单位
  电子科技大学