应变Si NMOSFET阈值电压集约物理模型

作者：周春宇; 张鹤鸣; 胡辉勇; 庄奕琪; 舒斌; 王斌; 王冠宇

来源：ACTA PHYSICA SINICA, 2013, (07): 385-392.

• 应变Si NMOSFET
• 阈值电压
• 集约物理模型 strained Si NMOSFET
• threshold voltage
• physical compact modeling

本文采用渐变沟道近似和准二维分析的方法,通过求解泊松方程,建立了应变Si NMOSFET阈值电压集约物理模型.模型同时研究了短沟道,窄沟道,非均匀掺杂,漏致势垒降低等物理效应对阈值电压的影响.采用参数提取软件提取了阈值电压相关参数,通过将模型的计算结果和实验结果进行对比分析,验证了本文提出的模型的正确性.该模型为应变Si超大规模集成电路的分析和设计提供了重要的参考.

• 单位
  辽宁工程技术大学; 西安电子科技大学