惯性约束聚变靶中硅支撑冷却臂的制备

作者：张继成; 罗跃川; 马志波; 杨苗; 周民杰; 李佳; 吴卫东; 唐永建

来源：强激光与粒子束, 2013, (12): 3251-3254.

• 惯性约束聚变靶
• 硅支撑冷却臂
• 反应离子深刻蚀 ICF target
• silicon supporting cooling arm
• deep reactive ion etching

论述了基于反应离子深刻蚀技术加工惯性约束聚变(ICF)靶的硅支撑冷却臂。利用扫描电子显微镜、白光干涉仪和视觉显微系统等对所制备的硅支撑冷却臂的形貌、侧壁陡直度和卡爪径向形变量等参数进行了表征分析。分析结果表明,硅支撑冷却臂的侧壁陡直度大于88°,卡爪径向形变量大于20μm,符合靶的设计要求。

• 单位
  西北工业大学; 中国工程物理研究院激光聚变研究中心