惯性约束聚变靶中硅支撑冷却臂的制备
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中国工程物理研究院激光聚变研究中心; 西北工业大学
摘要
论述了基于反应离子深刻蚀技术加工惯性约束聚变(ICF)靶的硅支撑冷却臂。利用扫描电子显微镜、白光干涉仪和视觉显微系统等对所制备的硅支撑冷却臂的形貌、侧壁陡直度和卡爪径向形变量等参数进行了表征分析。分析结果表明,硅支撑冷却臂的侧壁陡直度大于88°,卡爪径向形变量大于20μm,符合靶的设计要求。
关键词
惯性约束聚变靶 硅支撑冷却臂 反应离子深刻蚀 ICF target silicon supporting cooling arm deep reactive ion etching
