应变SiGe p型金属氧化物半导体场效应管栅电容特性研究

作者：王斌; 张鹤鸣; 胡辉勇; 张玉明; 宋建军; 周春宇; 李妤晨

来源：ACTA PHYSICA SINICA, 2013, (12): 430-436.

• 应变 SiGe pMOSFET
• 栅电容特性
• 台阶效应
• 沟道掺杂 strained SiGe pMOSFET
• gate C-V characteristics
• plateau
• channel doping

由于台阶的出现,应变SiGe p型金属氧化物半导体场效应管(pMOSFET)的栅电容特性与体Si器件的相比呈现出很大的不同,且受沟道掺杂的影响严重.本文在研究应变SiGe pMOSFET器件的工作机理及其栅电容C-V特性中台阶形成机理的基础上,通过求解器件不同工作状态下的电荷分布,建立了应变SiGe pMOSFET栅电容模型,探讨了沟道掺杂浓度对台阶的影响.与实验数据的对比结果表明,所建立模型能准确反映应变SiGe pMOSFET器件的栅电容特性,验证了模型的正确性.该理论为Si基应变金属氧化物半导体(MOS)器件的设计制造提供了重要的指导作用,并已成功应用于Si基应变器件模型参数提取软件中,为Si基应变MOS的仿真奠定了理论基础.

• 单位
  西安电子科技大学