用正电子湮没技术研究Cr和Nb对TiAl合金中缺陷和d-d电子相互作用的影响

作者：祝莹莹; 邓文; 孙顺平; 江海峰; 黄宇阳; 曹名洲; 熊良钺

来源：稀有金属材料与工程, 2009, 38(2).

DOI：10.3321/j.issn:1002-185X.2009.02.019

• TiAl合金
• d-d电子相互作用
• 缺陷
• 正电子湮没技术

测量Al,Si,Ti,Cr,Nb等纯元素以及Ti50Al50,Ti50l48Cr2,Ti50Al48Nb2合金的符合正电子湮没辐射多普勒展宽谱和寿命谱,获得金属及合金中d电子和缺陷的信息.结果表明,二元TiAl合金的电子密度和3d电子的信号较低,晶界缺陷的开空间较大.在TiAl合金中加入Cr或Nb,合金中的d-d电子作用增强,基体和晶界处的电子密度均增加.Ti50Al48Cr2合金的多普勒展宽谱的d电子信号高于Ti50Al48Nb2合金.讨论了Cr和Nb对TiAl合金中缺陷和d-d电子相互作用的影响.

• 单位
  中国科学院; 河南理工大学; 广西大学