GaN HEMT非线性输出电容寄生参数研究

作者：孙世滔; 蔡斐; 李川; 吕国强

来源：电子器件, 2013, (06): 760-764.

• 功率放大器
• 高效率
• GaN HEMT
• 非线性电容 power amplifier
• high efficiency
• GaN HEMT
• nonlinear output capacitor

分析了GaN(氮化镓)HEMT(高电子迁移率晶体管)非线性输出电容寄生参数C out与功率放大器效率的关系。通过建立非线性电路模型分析得出,C out与外部合适的匹配电路结合能产生类似电压半正弦波,电流方波的最优效率波形。选用GaN HEMT器件设计S频段射频功率放大器,实测结果显示该放大器最高漏极效率(DE)为81.7%,功率附加效率(PAE)78.56%,功率为41.16 dBm,在100 M带宽内PAE也可达74.49%以上,并且结构简单。实测结果验证了原理分析的可靠性。

• 单位
  合肥工业大学