摘要
在解析热分析理论的基础上,建立了平板Nd:LuVO_4激光晶体在激光二极管阵列侧面抽运时的导热微分方程。通过对方程的求解,得到了Nd:LuVO_4晶体内部温度场解析式,热形变场分布、温度场和热形变场的数值模拟表明,当抽运光功率为40 W,抽运区域为1 mm× 4 mm时,晶体在x方向的最高相对温升为11.63 K.y和z方向的最高温升为11.00 K;在x,y,z三方向上的热形变量分别为0.050 μm,0.034μm和0.48μm。这一结果可为Nd:LuVO_4激光器设计提供理论支持。
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单位石河子大学; 西安建筑科技大学