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Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3薄膜的耐压特性研究

朱斌; 张洪波; 王文君; 李司中; 赵强; 陈宏伟; 杨传仁; 张继华
中国知网
电子科技大学

摘要

采用射频磁控溅射法制备了Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)薄膜,研究了基片、退火温度及膜厚对薄膜耐压特性的影响。结果显示,铝酸镧(LaAlO3)基片上制备的BST薄膜表面较平整,有较好的耐压;随着退火温度从750℃提高到850℃,BST薄膜晶粒长大,电击穿概率有所增加,750℃是一个较合理的退火温度。在优化的工艺条件下,BST薄膜耐压可达125V/μm。

关键词

Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)薄膜 铁电 耐压 集成电容 BST films ferroelectric voltage withstand integrated capacitor